91在线观看视频-91在线观看视频-91在线观看免费视频-91在线观看免费-欧美第二页-欧美第1页

鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器或混合串式逆變器。

江蘇潤石RS299高精度電流檢測放大器參數特性 數據手冊與EDA模型

在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）如同一對默契的 “電子開關”，掌控著電路中電流的流動。作為 MOSFET（Metal-Oxide Field-Effect Transistor）的兩種核心類型，它們憑借高輸入阻抗、快速開關能力等特性，成為集成電路設計的基石 —— 從手機芯片到計算機處理器，處處可見它們的身影，如同電子系統中不知疲倦的 “守門人”，依據電壓信號決定是否放行電流。

面對物聯網、可穿戴醫療、便攜消費及工業傳感領域中對設備超長續航的極致要求，超低功耗運放產品應運而生。中微愛芯推出5uA靜態電流，150KHz帶寬的AiP861X系列運放。其中AiP8611、AiP8612和AiP8614分別是不帶使能控制引腳的單通道、雙通道和四通道運放，AiP8613和AiP8619分別為帶使能控制管腳的單通道和雙通道運放。其中AiP8611提供超小型SOT353封裝，AiP8613提供超小型SOT363封裝，滿足客戶低成本方案需求。

在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動超寬禁帶功率器件進入大規模落地階段。

圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。

GT834XP系列產品提供低電壓運行、軌到軌輸入和輸出，具備出色的速度/功耗比，1.1MHz的帶寬和0.4V/μs的壓擺率。這些運算放大器單位增益穩定，具有超低輸入偏置電流。GT834XP系列運算放大器的工作溫度范圍為-40°C至+125°C，支持2.2V至5.5V單電源供電或±1.1V至±2.75V雙電源供電。

在歐盟2035年零排放目標等雄心勃勃的計劃推動下，從化石燃料向電動汽車(EV)的轉型正在加速。為了吸引消費者，電動汽車必須擁有足夠的續航里程，支持快速充電，而且要經濟實惠。在這一變革中，碳化硅(SiC)半導體，尤其是MOSFET器件，是大幅提升電力電子性能的關鍵技術。

自適應濾波是近幾十年發展起來的信號處理理論的的新分支。隨著人們在該領域研究的不斷深入，自適應處理的理論和技術日趨完善，其應用領域也越來越廣泛。自適應濾波在通信、控制、語言分析和綜合、地震信號處理、雷達和聲吶波束形成，以及醫學診斷等諸多科學領域均有著廣泛的應用，也正是這些應用又反過來推動了自適應濾波理論和技術的發展。

GaN器件當前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應用于諸多電子設備中，如全控型電力開關、高頻放大器或振蕩器。與傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 相比，氮化鎵 (GaN) 可提高功率密度和效率，GaN 和 SiC 均具有寬帶隙，但它們之間存在根本差異，因此分別適合特定的拓撲和應用。

隨著全球碳中和目標的推進，新能源電動重卡作為商用車領域的重要減碳方向，迎來爆發式增長。2025年4月，國內新能源重卡實銷1.58萬輛，創下今年以來各月新高，也刷新了新能源重卡發展史上月度銷量的最新紀錄，同比大漲245%，環比增長5%。2025年前4月新能源重卡累計銷售4.61萬輛，同比增長197%。

HGV855X放大器是單/雙/四路供電、微功耗、零漂移CMOS運算放大器，提供1.8MHz帶寬、軌到軌輸入輸出，支持1.8V至5.5V單電源工作。本期華冠半導體推出該系列采用斬波穩定技術，可實現極低失調電壓（最大值小于30μV）和近乎零的溫度漂移。每放大器僅180μA靜態電流和20pA超低輸入偏置電流，使其成為低偏移、低功耗和高阻抗應用的理想選擇。

現代微控制器（MCU）中常常集成了模數轉換器（ADC），獨立 ADC 似乎正慢慢退出舞臺。

前面一章分享了人形機器人的基本框架以及每個結構對應的國內外廠家。從功能角度出發，人形機器人主要通過采集周邊信號，通過大腦處理該信號，以及針對信號做出的相應執行動作。從零部件硬件成本角度出發，占大頭的為絲桿，傳感器，電機以及主芯片，其中絲杠作為機械結構無需電子保護，部分電機會在內部串聯熱敏電阻作為過溫或過流保護。因此整個環節當中真正涉及過流過壓保護的主要在控制器，驅動器以及傳感器信號采集等，相對而言在

面對AI算力需求爆發式增長，數據中心電力系統正面臨前所未有的挑戰。安森美(onsemi)推出的AI數據中心電源解決方案，直擊能效、尺寸等痛點，助力客戶把握數據中心的市場機遇。

ADI ADC芯片全面分析報告（截至2025年） 一、核心型號盤點及特性分析 ADI的ADC芯片按架構和分辨率可分為四大類，以下為代表性型號及其關鍵特性： 架構類型 分辨率 代表型號 核心特性 典型應用場景 資料來源 Σ-Δ型 24位 AD7176-2 250 kSPS采樣率，20μs建立時間，支持靈活輸出數據速率（5 SPS~250 kSPS） 工業測量、高精度儀器儀表 24位 ADFS7124-8/ADFS7124-4 集成PGA（可編程增益放大器），8/4通道，24位精度 工業自動化、電機控制 24位 AD7766系列 動態范圍109.5~115.5 dB，功

DAC（Digital to Analog Converter）主要功能在于將數字信號轉為模擬信號，更高效高質量的將數字信號還原為模擬信號，減少失真度，還原豐富細膩的音色。

IGBT以發射極電壓為基準電位驅動。開關動作時，上橋臂IGBT的發射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中，要開通上橋臂IGBT時，需要對門極施加300V加15V，合計315V的母線電壓。因此，需要不受開關噪聲干擾影響的上橋臂驅動電路。

此前，2025年6月26日至27日，由大比特資訊主辦的"2025中國電子熱點解決方案創新峰會"在東莞·虎門美思威爾頓酒店圓滿落幕。作為國內半導體行業的標桿企業，上海貝嶺以強大陣容亮相本次盛會，不僅展示了最新的技術成果，更與行業專家、合作伙伴及現場觀眾進行了深度交流，共同探討電子產業的前沿趨勢與創新方向。

上海海思AC9610產品自2025年3月上市以來，點燃了行業對于超高精度ADC的新期望，該領域已收到數十家企業，高校，研究機構的送樣需求。