電子發燒友網報道（文/黃山明）玻璃中介層是一種用于芯片先進封裝的半導體材料，主要用于連接多個芯片與基板，替代傳統硅中介層。它是芯片封裝中的中間層，負責實現芯片與基板之間的高密度電氣連接。傳統中介層多采用硅材料，但玻璃因其成本更低、性能更優的特性逐漸成為替代選擇。

性能上，玻璃在高頻信號傳輸中表現更優，減少信號延遲和功耗，尤其適用于AI芯片、智能設備等高性能場景。并且玻璃的熱膨脹系數更低，耐高溫和機械沖擊能力更強，提升了芯片的可靠性。加上玻璃材料成本顯著低于硅，且加工流程更簡化，進一步降低封裝整體成本。

目前主要技術是通過玻璃通孔技術（TGV）來實現的，通過激光蝕刻在玻璃上形成數百萬個微孔，隨后用蝕刻溶液處理并填充銅以實現電路互連。例如通快（TRUMPF）與SCHMID集團開發的激光+濕法化學組合工藝，將加工時間縮短了90%。

在生產精度上，玻璃厚度范圍在100微米至1毫米之間，需在極薄材料上實現微米級孔洞加工，對激光技術和蝕刻工藝的協同要求極高。

不過有機構預計2030年先進封裝市場規模將達960億美元，玻璃中介層技術有望成為主要驅動力之一，也驅動不少廠商開始在這一領域進行布局。

玻璃中介層發展現狀

目前在玻璃中介層的發展上，國內外企業基本上處于同一層級。先從國外來看，例如德國通快與SCHMID集團在2025年1月聯合推出玻璃中介層制造工藝，結合激光蝕刻與濕法化學處理，已進入商業化應用階段，目標市場包括智能手機、AI芯片等領域。

而三星也正在加速研發玻璃中介層，計劃2027年量產。同時，子公司三星電機開發玻璃基板（Glass Substrate），形成內部技術競爭，以提升半導體生產效率和性能。并與澳大利亞材料商Chemtronics、韓國設備商Philoptics合作，評估使用康寧玻璃生產中介層的方案。

LX Semicon也正積極籌劃將玻璃基板作為公司的新興業務增長點，自2024年上半年起，便著手探索將玻璃基板作為新業務的可行性，并已與掌握玻璃介質制造核心技術的多家企業（包括擅長TGV技術的企業）建立了聯系。

國內方面，京東方計劃2025年下半年推出玻璃基板試點生產線，專注于高性能處理器部件，目標與三星、臺積電等競爭。其玻璃基板技術可能間接推動中介層領域的發展。

云天半導體則通過多光罩拼接技術實現了大尺寸中介層轉接板，研發出多層細間距RDL堆疊技術，利用材料、設備、工藝協同加工，可實現電氣信號的優良導通。其最新技術突破包括RDL布線層數三層，TGV開口60μm、深度200μm，最小線寬線距1.5μm，光罩拼接偏差＜300nm，拼接后中介層轉接板尺寸達2700mm2。

從技術發展角度來看，玻璃中介層與AI芯片、高性能計算（HPC）的結合將推動智能設備性能躍升，例如提升圖像處理速度和電池效率。

市場上，當前三星通過內部“雙線研發”（中介層+基板）激發創新，而通快等歐洲企業則聚焦工藝優化，市場競爭將加劇。而玻璃中介層的大規模生產仍需解決良率、成本控制及與現有封裝技術的兼容性問題。

小結

玻璃中介層憑借成本優勢和性能突破，正成為半導體封裝領域的“游戲規則改變者”。目前，通快、SCHMID、三星等公司處于技術前沿，而京東方、云天半導體等企業的跨界布局也值得關注。未來該技術的普及將加速高性能芯片的迭代，推動消費電子與AI應用的進一步發展。